型号: SI3552DV-T1
功能描述: MOSFET 30V 2.5/1.8A
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
商标: Vishay / Siliconix
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.15 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Dual
下降时间: 5 ns, 7 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 9 ns, 12 ns
工厂包装数量: 3000
商标名: TrenchFET
典型关闭延迟时间: 13 ns, 12 ns
典型接通延迟时间: 7 ns, 8 ns
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