型号: SI4488DY-T1-GE3
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay
系列: SI
单位重量: 506.600 mg
零件号别名: SI4488DY-GE3
商标名: TrenchFET
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 3.5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250µA（最小）
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 36nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
功率耗散（最大值）: 1.56W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 50 毫欧 @ 5A，10V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC
封装形式Package: SOIC-8
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 150V
连续漏极电流ID: 3.5A
漏源极导通电阻RDS(ON): 50mOhms
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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