SI8806DB-T2-E1规格参数_SI8806DB-T2-E1全国代理商/分销商

型号: SI8806DB-T2-E1
功能描述: Single N-Channel 12 V 0.9 W 17 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-FOOT
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.8V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 17nC @ 8V
Vgs（最大值）： ±8V
功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 43 毫欧 @ 1A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： 4-XFBGA
封装形式Package： MicroFoot-4
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 12V
连续漏极电流ID： 700mA
漏源极导通电阻RDS(ON)： 35mOhms
栅源极阀值电压VGS(th)： 0.4Vto1V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs