型号: SISS61DN-T1-GE3
功能描述: MOSFET P-CH 20V PPAK 1212-8S
制造商: Vishay Siliconix
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: TrenchFET® Gen III
零件状态: 有源
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 30.9A（Ta），111.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 3.5 毫欧 @ 15A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 231nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 8740pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 5W（Ta），65.8W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8S
封装/外壳: PowerPAK® 1212-8S
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