型号:  SISS64DN-T1-GE3

功能描述:  

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET® Gen IV

湿气敏感性等级（MSL）：  1（无限）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  68nC @ 10V

Vgs（最大值）：  +20V，-16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3420pF @ 15V

功率耗散（最大值）：  57W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  2.1 毫欧 @ 10A, 10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PowerPAK® 1212-8S

在线目录：  N-Channel MOSFET (Metal Oxide)

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.2V @ 250µA

Id-连续漏极电流：  40A

Pd-功率耗散：  57W

Qg-栅极电荷：  68nC

Rds On-漏源导通电阻：  1.8mOhms

Vds-漏源极击穿电压：  30V

Vgs - 栅极-源极电压：  -16V,20V

Vgs th-栅源极阈值电压：  1.1V

上升时间：  15ns

下降时间：  10ns

典型关闭延迟时间：  25ns

典型接通延迟时间：  13ns

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  PowerPAK-1212-8

晶体管极性：  N-Channel

晶体管类型：  1N-Channel

最大工作温度：  +150C

最小工作温度：  -55C

正向跨导 - 最小值：  70S

系列：  SIS

通道数量：  1Channel

通道模式：  Enhancement

配置：  Single

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs