型号: SSM3K35CT,L3F(T
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):180mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:3Ω @ 50mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):100mW 类型:N沟道
制造商: TOSHIBA(东芝)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 180mA
栅源极阈值电压: 1V @ 1mA
漏源导通电阻: 3Ω @ 50mA,4V
最大功率耗散(Ta=25°C): 100mW
类型: N沟道
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