型号:  SSM6J212FE(TE85L,F

功能描述:  Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

产品培训模块：  Small Signal MOSFET

标准包装：  4,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  -

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  4A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  40.7 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  14.1nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  970pF @ 10V

功率 - 最大值：  500mW

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：  ES6

其它名称：  SSM6J212FE(TE85L,FSSM6J212FE(TE85LFTRSSM6J212FE(TE85LFTR-NDSSM6J212FE,LF(CASSM6J212FELFSSM6J212FELFTRSSM6J212FETE85LF