型号:  SSM6J501NU,LF(T

功能描述:  Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

数据列表：  SSM6J501NU -

特色产品：  Toshiba Low RDS(ON) P-Channel MOSFET

标准包装：  1

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  -

包装：  剪切带（CT）

FET 类型：  MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  10A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  15.3 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  29.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  2600pF @ 10V

功率 - 最大值：  1W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：  6-UDFN（2x2）

其它名称：  SSM6J501NULF(TCTSSM6J501NULFCTSSM6J501NULFCT-ND