型号: SSM6L13TU(T5L,F,T)
功能描述: MOSF N/P CH 20V 800MA CH UF6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET特点： Logic Level Gate, 1.8V Drive
封装： Tape & Reel (TR)
安装类型： Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C： 800mA
的Vgs（th ） （最大）@ Id： 1V @ 1mA
供应商设备封装： UF6
开态Rds（最大）@ Id ，V GS： 143 mOhm @ 600MA, 4V
FET型： N and P-Channel
功率 - 最大： 500mW
标准包装： 3,000
漏极至源极电压（Vdss）： 20V
输入电容（Ciss ） @ VDS： 268pF @ 10V
封装/外壳： 6-SMD, Flat Leads
其他名称： SSM6L13TU(T5LFT)CT
RoHS指令： Lead free / RoHS Compliant
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