型号:  SSM6N55NU,LF

功能描述:   MOSFET N CH 30V 4A UDFN6

制造商:  Toshiba

标准包装：  3,000

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  4A

Rds（最大）@ ID，VGS：  46 mOhm @ 4A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.5V @ 100µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  2.5nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  280pF @ 15V

功率 - 最大：  1W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装：  6-uDFN (2x2)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

动态目录：  N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16803?mpart=SSM6N55NU,LF&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  4A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.5V @ 100µA

供应商设备封装：  6-µDFN(2x2)

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  46 mOhm @ 4A, 10V

FET型：  2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：  1W

标准包装：  3,000

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  280pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  2.5nC @ 4.5V

封装/外壳：  6-WDFN Exposed Pad

其他名称：  SSM6N55NULFCT

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

安装风格：  SMD/SMT

晶体管极性：  N-Channel

源极击穿电压：  20 V

连续漏极电流：  4 A

RDS（ON）：  64 mOhms

功率耗散：  1 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  UDFN-6

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  30 V

RoHS：  RoHS Compliant

栅极电荷Qg：  2.5 nC