型号:  SSM6N56FE,LM

功能描述:  MOSFET Small-signal MOSFET N-Channel

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  ES6-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  800 mA

Rds On-漏源导通电阻:  235 mOhms, 235 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

Qg-栅极电荷:  1 nC, 1 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  250 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.55 mm

长度:  1.6 mm

系列:  SSM6N56

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  1.2 mm

商标:  Toshiba

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  4000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  8.5 ns, 8.5 ns

典型接通延迟时间:  5.5 ns, 5.5 ns

单位重量:  8.200 mg