型号:  STW26NM60N

功能描述:  MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  20 A

Rds On-漏源导通电阻:  165 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  60 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  140 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  MDmesh

封装:  Tube

高度:  20.15 mm

长度:  15.75 mm

系列:  STW26NM60N

晶体管类型:  1 N-Channel Power MOSFET

类型:  Power MOSFET

宽度:  5.15 mm

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  50 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  25 ns

工厂包装数量:  600

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  85 ns

典型接通延迟时间:  13 ns

单位重量:  38 g