型号:  TK12E60W,S1VX

功能描述:  MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  11.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  300 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  25 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  110 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  DTMOSIV

高度:  15.1 mm

长度:  10.16 mm

系列:  TK12E60W

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.45 mm

商标:  Toshiba

下降时间:  5.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  23 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  85 ns

典型接通延迟时间:  23 ns

单位重量:  6 g