型号: TK39J60W,S1VQ
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： TK39J60W -
特色产品： DTMOSIV Superjunction MOSFETs
标准包装： 25
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 超级结
漏源极电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 38.8A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 65 毫欧 @ 19.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.7V @ 1.9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 4100pF @ 300V
功率 - 最大值： 270W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装： TO-3P（N）
其它名称： TK39J60WS1VQ
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