型号: TK8P60W5,RVQ(S
功能描述: MOSFET N-Ch 600V 8A 80ns 3-4.5V DPAK
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 8 A
最大漏源电压: 600 V
最大漏源电阻值: 560 m0hms
最大栅阈值电压: 4.5V
最小栅阈值电压: 3V
最大栅源电压: -30 V、+30 V
封装类型: DPAK (TO-252)
安装类型: 表面贴装
晶体管配置: 单
引脚数目: 3
通道模式: 增强
类别: 开关调节器 MOSFET
最大功率耗散: 80 W
正向二极管电压: 1.7V
尺寸: 6.6 x 6.1 x 2.3mm
宽度: 6.1mm
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 22 nC @ 10 V
高度: 2.3mm
系列: DTMOSIV
典型输入电容值@Vds: 590 pF @ 300 V
典型关断延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 60 ns
每片芯片元件数目: 1
最高工作温度: +150 °C
长度: 6.6mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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