型号:  TPCF8001(TE85L,F)

功能描述:   MOSFET PW TR N-Ch 30V 7A 2.5W 19mOhms

制造商:  Toshiba

标准包装：  4,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  7A

Rds（最大）@ ID，VGS：  23 mOhm @ 3.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  25.4nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1270pF @ 10V

功率 - 最大：  -

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装：  VS-8 (2.9x1.9)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR);;其他的名称；

连续漏极电流：  1.17 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  2.5 W

安装：  Surface Mount

漏源导通电阻：  0.8 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  VS

封装：  Tape and Reel

引脚数：  6

极性：  P

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

通道模式：  Enhancement

漏源导通电压：  60 V

弧度硬化：  No