型号:  US6M11TR

功能描述:  MOSFET TRANS MOSFET N/P-CH 20V/12V 6PIN

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363T-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V, 12 V

Id-连续漏极电流:  1.5 A, 1.3 A

Rds On-漏源导通电阻:  180 mOhms, 260 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  1.8 nC, 2.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1 W

配置:  Dual

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

系列:  US6M11

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

下降时间:  3 ns, 9 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5 ns, 10 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  20 ns, 30 ns

典型接通延迟时间:  5 ns, 8 ns

零件号别名:  US6M11

单位重量:  7.500 mg