型号: VBA3222
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.1A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 7.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 7.1A
栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 25mΩ @ 7.1A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2W
类型: 双N沟道
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：刘小姐
电话：13528882567
Q Q:
联系人：黄兵
电话：13243861168
Q Q:
联系人：江先生
电话：18988752008
Q Q:
