型号: VMO150-01P1
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 165A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 400nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 9400pF @ 25V
功率耗散（最大值）: 400W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 8 毫欧 @ 90A，10V
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: ECO-PAC2
封装/外壳: ECO-PAC2
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：JACK
Q Q:
联系人：吴
Q Q:
联系人：曾先生
电话：13242990037
Q Q:
