型号:  ZXMN10A08E6TC

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-23 T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  10,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  1.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  250 mOhm @ 3.2A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  7.7nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  405pF @ 50V

功率 - 最大：  1.1W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-23-6

供应商器件封装：  SOT-23-6

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  6SOT-23

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  100 V

最大连续漏极电流：  3.5 A

RDS -于：  250@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  3.4 ns

典型上升时间：  2.2 ns

典型关闭延迟时间：  8 ns

典型下降时间：  3.2 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  1.8(Max)

PCB：  6

最大功率耗散：  1700

最大漏源电压：  100

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  250@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SOT-23

标准包装名称：  SOT-23

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  3.1(Max)

引脚数：  6

包装高度：  1.3(Max)

最大连续漏极电流：  3.5

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

单位包：  10000

最小起订量：  10000

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  1.5A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  4V @ 250µA

封装/外壳：  SOT-23-6

供应商设备封装：  SOT-23-6

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  250 mOhm @ 3.2A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  1.1W

漏极至源极电压（Vdss）：  100V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  405pF @ 50V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  7.7nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  10000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single Quad Drain

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  1.9 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  250 mOhms

功率耗散：  1.1 W

最低工作温度：  - 55 C

上升时间：  2.2 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  100 V