型号:  ZXMS6004N8-13

功能描述:  MOSFET 60V N-Ch Enh FET 500mOhm 1.3A 120mJ

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  1.3 A

Rds On-漏源导通电阻:  600 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  -

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.28 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  IntelliFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.75 mm

长度:  4.9 mm

产品:  MOSFET

系列:  ZXMS6004

类型:  Intellifet

宽度:  3.9 mm

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  15 us

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10 us

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  45 us

典型接通延迟时间:  5 us

单位重量:  74 mg