型号:  BSZ086P03NS3E G

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  4785pF @ 15V

Vgs（最大值）：  ±25V

功率耗散（最大值）：  2.1W（Ta），69W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  8.6 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TSDSON-8

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  13.5A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.1V @ 105µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  57.5nC @ 10V

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  P-Channel

Id-连续漏极电流：  40A

Rds On-漏源导通电阻：  6.5mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  3.1V

Vgs - 栅极-源极电压：  25V

Qg-栅极电荷：  57.5nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  69W

通道模式：  Enhancement

商标名：  OptiMOS

封装：  CutTape

高度：  1.1mm

长度：  3.3mm

系列：  OptiMOSP3

晶体管类型：  1P-Channel

正向跨导 - 最小值：  30S

下降时间：  8ns

上升时间：  46ns

典型关闭延迟时间：  35ns

典型接通延迟时间：  16ns

无铅情况/RoHs：  否