型号:  CSD83325LT

功能描述:  MOSFET 12V Dual N ch MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  BGA-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  12 V

Id-连续漏极电流:  8 A

Rds On-漏源导通电阻:  5.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  950 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  8.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.3 W

配置:  Dual

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.2 mm

长度:  2.2 mm

产品:  Power MOSFET

系列:  CSD83325L

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  1.15 mm

商标:  Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:  36 S

下降时间:  589 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  353 ns

工厂包装数量:  250

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  711 ns

典型接通延迟时间:  205 ns

单位重量:  1.500 mg