型号: DMT10H009LSS-13
功能描述: MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 13 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 40.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 14.9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10.6 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 28.3 ns
典型接通延迟时间: 5.4 ns
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