型号: EFC6605R-TR
功能描述: MOSFET NCH+NCH 10A 24V 2.5V DRIV
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WLCSP-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 13.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 19.8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
配置: Dual
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: EFC6605R
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: ON Semiconductor
下降时间: 60800 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 678 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 44400 ns
典型接通延迟时间: 154 ns
单位重量: 66 mg
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