型号: HGT1S20N36G3VLS
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 395 V
集电极—射极饱和电压: 1.3 V
栅极/发射极最大电压: +/- 10 V
在25 C的连续集电极电流: 29 A
栅极—射极漏泄电流: 1000 uA
功率耗散: 50 W
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: TO-263AB-3
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 37.7 A
最小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 50
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：周生
电话：18126187240
Q Q:
联系人：王辉燕
电话：18926529691
Q Q:
联系人：王磊
电话：19946274421
Q Q:
