型号: HGT1S20N60C3S
功能描述: IGBT 晶体管
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 45 A
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: D2PAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
集电极最大连续电流 Ic: 45 A
最小工作温度: - 55 C
安装风格: SMD/SMT
系列: HGT1S20N60
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：张
电话：13266573387
Q Q:
联系人：江先生
电话：15814016862
Q Q:
联系人：张先生
电话：15012848059
Q Q:
