型号: HGT1S2N120BNDS
功能描述: IGBT 模块
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 模块
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 12 A
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: TO-263AB
商标: Fairchild Semic 5940 onductor
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 55 C
安装风格: SMD/SMT
联系人：肖瑶，树平
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