型号: IPB080N06N G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装: 1,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: OptiMOS??
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 80A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 7.7 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 93nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 3500pF @ 30V
功率 - 最大值: 214W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3
其它名称: IPB080N06N G-NDIPB080N06NGINTRIPB080N06NGXTSP000204174
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