型号:  IPD65R660CFD

功能描述:  MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 CoolMOS CFD2

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  6 A

Rds On-漏源导通电阻:  660 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  22 nC

Pd-功率耗散:  63 W

配置:  Single

商标名:  CoolMOS

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  2.3 mm

长度:  6.5 mm

系列:  CoolMOS CFD2

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  6.22 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  10 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

零件号别名:  IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R66CFDXT SP000745024

单位重量:  4 g