型号: IPD65R660CFDAATMA1
功能描述: MOSFET N-CH TO252-3
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: 汽车级，AEC-Q101，CoolMOS™
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 660 毫欧 @ 3.22A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 214.55µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 20nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 543pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 62.5W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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