型号: IPI126N10N3 G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IPB123N10N3 G
标准包装： 500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 58A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 12.6 毫欧 @ 46A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 46µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2500pF @ 50V
功率 - 最大值： 94W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装： PG-TO262-3
其它名称： IPI126N10N3G
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