型号: PMGD780SN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin UMT T/R
制造商: NXP Semiconductors
漏极电流（最大值）： 0.49 A
频率（最大）： Not Required MHz
栅源电压（最大值）： �20 V
输出功率（最大）： Not Required W
功率耗散： 0.41 W
安装： Surface Mount
噪声系数： Not Required dB
漏源导通电阻： 0.92 ohm
工作温度范围： -55C to 150C
包装类型： SOT-363
引脚数： 6
极性： N
类型： Power MOSFET
元件数： 2
工作温度分类： Military
通道模式： Enhancement
漏极效率： Not Required %
漏源导通电压： 60 V
功率增益： Not Required dB
弧度硬化： No
连续漏极电流： 0.49 A
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