型号: SSM6J206FE(TE85L,F
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 4,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 130 毫欧 @ 1A，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 335pF @ 10V
功率 - 最大值： 500mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： ES6（1.6x1.6）
其它名称： SSM6J206FE(TE85LFTRSSM6J206FETE85LF
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13823235114
Q Q:
联系人：李坤
电话：18521770496
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13928486396
Q Q:
