型号: SSM6J501NU,LF
功能描述: MOSFET PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: UDFN6B-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 15.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 300 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 29.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.75 mm
长度: 2 mm
系列: SSM6J501
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 2 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 201 ns
典型接通延迟时间: 45.2 ns
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