型号:  SSM6L12TU,LF

功能描述:  MOSFET LowON Res MOSFET ID=-0.5A VDSS=-30V

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  UF-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V, 20 V

Id-连续漏极电流:  500 mA

Rds On-漏源导通电阻:  120 mOhms, 210 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  500 mV, 1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  500 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  SSM6L12TU

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  Toshiba

正向跨导 - 最小值:  1 S, 0.65 S

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  15 ns, 15 ns

典型接通延迟时间:  9 ns, 16 ns

单位重量:  7 mg