型号: TP65H050WSQA
功能描述: 650V 36A GAN FET
制造商: Transphorm
包装: 管件
系列: 汽车级，AEC-Q101
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 60 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 24nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1000pF @ 400V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
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