型号:  TPCF8001(TE85L)

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 8-Pin VS T/R

制造商:  toshiba

标准包装：  4,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  7A

Rds（最大）@ ID，VGS：  23 mOhm @ 3.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  25.4nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1270pF @ 10V

功率 - 最大：  -

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装：  VS-8 (2.9x1.9)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR);;其他的名称；

包装：  8VS

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  60 V

最大连续漏极电流：  1.17 A

RDS -于：  800@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型上升时间：  3.8 ns

典型下降时间：  8.4 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  VS

最低工作温度：  -55

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  800@10V

最大漏源电压：  60

每个芯片的元件数：  1

供应商封装形式：  VS

最大功率耗散：  2500

最大连续漏极电流：  1.17

引脚数：  8