型号:  BSZ076N06NS3G

功能描述:   MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS 3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

商标:  Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:  20 A

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Rds On-漏源导通电阻:  7.6 mOhms

晶体管极性:  N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :  20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  3 V

Qg-栅极电荷:  37 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  69 W

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TDSON-8

封装:  Reel

通道模式:  Enhancement

配置:  Single

下降时间:  5 ns

正向跨导 - 最小值:  39 S, 20 S

最小工作温度:  - 55 C

上升时间:  40 ns

系列:  OptiMOS 3

工厂包装数量:  5000

商标名:  OptiMOS

典型关闭延迟时间:  20 ns

典型接通延迟时间:  15 ns

零件号别名:  BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ076N06NS3GXT SP000454420