型号: DMT10H009LH3
功能描述: MOSFET BVDSS: 61V-100V TO251
制造商: Diodes Incorporated
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 84A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 9 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 20.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2309pF @ 50V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 96W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-251
封装/外壳: TO-251-3 短截引线，IPak
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