型号: SSM6L09FUTE85LF
功能描述: MOSFET N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 400 mA
Rds On-漏源导通电阻: 4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Pd-功率耗散: 300 mW
配置: Dual
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
系列: SSM6L09
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度: 1.25 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 68 ns, 85 ns
典型接通延迟时间: 72 ns, 85 ns
单位重量: 7.500 mg
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