型号: TP65H035G4WS
功能描述: 650 V 46.5 GAN FET
制造商: Transphorm
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 46.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 41 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 22nC @ 0V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1500pF @ 400V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 156W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
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